BH916測試裝置GDAT高頻Q表
平板電容極片Φ50mm/Φ38mm         可選頻率范圍20KHz-60MHz/200KHz-160MHz
間距可調范圍≥15mm                頻率指示誤差3×10-5±1個字
夾具插頭間距25mm±0.01mm          主電容調節(jié)范圍30-500/18-220pF
測微桿分辨率0.001mm               主調電容誤差<1%或1pF
夾具損耗角正切值≦4×10-4 （1MHz）  Q測試范圍2～1023

概述
介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的
物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質損耗
和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，
并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采
用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值
顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表
中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試
頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電
容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的
特性阻抗等。該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。